- 加热炉设备
- 晶体及材料
- 破碎/球磨设备
- 压片设备
- 辊压设备
- 切割设备
- 磨抛设备
- 清洗设备
- 电池研发设备
- 薄膜制备
- 配件
- 其它实验室设备
La3Ga5SiO14 硅酸镓镧单晶
- 产品概述：
- 硅酸镓镧（Langasite）是一种属于镓锗酸盐家族的压电晶体，具有32对称类，其化学式为La3Ga5SiO14。该晶体采用直拉法生长，主要用于制造表面声波器件、直接压电效应传感器和体声波器件的晶圆。由于硅酸镓镧无热释电效应、性能无滞后、在熔点温度（1470°C）以下不发生相变，且存在温度补偿切型，其特性在电信号受温度影响显著的应用场景中表现优异，因而被广泛采用。
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称型号
|
·La3Ga5SiO14 硅酸镓镧晶体基片
|
| 技术参数
|
密度： | 5.74 g/cm3 | 熔点： | 1470℃ | 硬度： | 6.6 mohs | 介电常数： | ε11=19 ε33=50 | 压电应变常数： | d12=6.1 d14= 5.4 | 电磁耦合系数(BAW)： | 15.8 % | 电磁耦合系数(SAW)： | 0.34 % | 生长方法： | 提拉法 |
|
| 常规尺寸
|
·dia2〞x 0.4 mm
|
| 晶体缺陷
|
·人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷
|
| 标准包装
|
·1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
|
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
查看诚信档案
皖公网安备 34012302000974号
