| 设备名称 | 滑动式双温区PECVD系统——OTF-1200X-II-4CV-PE-SL （2019.12.23—科晶实验室审核） |
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| 产品提示 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 产品特点 | ▪ 射频电源可实现等离子增强从而显著降低实验温度； ▪ 滑轨式可快速加热和快速冷却； ▪ 两个加热区，温度梯度最大可达 200ºC； ▪ 可在温度范围较大的条件下制备材料，如碳、ZnO纳米管或纳米线及单层石墨烯等。 |
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| 加热炉参数 | ▪ 最高温度：1200ºC（<30min），连续工作温度：1100℃； ▪ 两个PID温度控制器及50段可编程温控系统； ▪ 输入功率：208-240V，单相，最大功率：3KW； ▪ 高纯氧化铝纤维保温层可以最大限度降低能耗； ▪ 炉体开启式设计，以达到对样品快速降温，方便更换炉管。
多参数请联系科晶销售部 |
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| 射频电源 | ▪ 科晶公司现有不同功率的射频电源可供选择，以满足不同实验条件的需求。
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| 真空系统 | ▪ 采用TRP-12的双旋真空泵； ▪ KF25卡箍及波纹管用于连接管式炉与真空泵； ▪ 真空度可达10-2Torr。
·搭配TRP-12的双旋真空泵（抽速3L/s）（总进气量小于150sccm，该泵可以达到等离子发生真空度） ·搭配TRP-60双旋真空泵（抽速10L/s）（总进气量1L/min，该泵可以达到等离子发生真空度） |
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| 供气系统 | ▪ 四通道质子流量计控制系统可实现气体流量的精确控制（精确度：±0.02%）； ▪ 流量范围:
▪ 电压：208-240V， AC， 50/60Hz； ▪ 气体进出口配件：6.35mm的聚四氟管或不锈钢管； ▪ 不锈钢针阀用于手动控制气体进出； ▪ PLC触摸屏可以简便地进行气体流量设置。 注：接入供气系统的气源需搭配减压阀，将气压降至2mpa以下
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| 产品尺寸和重量 | ▪ 设备总体尺寸：2200mm L´800mm W´1500mm H ▪ 净重：610kg
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| 注意 | 采用氩气高于射频功率200w情况下，需特殊说明，设备需要特殊改造及测试，（有法兰过热情况） |
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| 认证 | ▪ 如您另外付费，我们可以保证单台仪器的TUV(UL61010)或CSA 认证
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| 承诺 | ▪ 一年质保期，终身维护（不包括炉管、硅胶密封圈和加热元件） ▪ 因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。 |
科晶应用技术实验室利用PECVD在不同功率（75W、150W、300W）条件下沉积Sb2Se3薄膜，实验结果如下：
组别 | SEM结果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
未经任何处理的样品 |
|  | 40.01 | 59.99 |
75W等离子体处理5 min |
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| 41.04 | 58.96 |
150 W等离子体处理5 min |
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| 41.64 | 58.36 |
300 W等离子体处理5 min |
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| 41.86 | 58.14 |
小结:
（1）等离子体能改变Sb2Se3薄膜的形貌，同时改变Sb2Se3的组成；
（2）随着射频电源功率的增加，Sb2Se3中的Se百分含量降低。
组别 | SEM结果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
10W、3Pa条件下沉积Sb2Se3 |
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| 40.01 | 59.99 |
75W、133Pa条件下沉积Sb2Se3 |
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| 70.28 | 29.72 |
75W、3Pa且补充0.1g Se粉沉积Sb2Se3 |
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| 43.13 | 56.87 |
75W、3Pa且补充0.02g SnSe2粉末（10%质量比Sb2Se3）沉积Sb2Se3 |
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| Sn: 22.78 Sb: 25.77 | 51.44 |
小结:
（1）低功率等离子体条件下可得到近原子比的Sb2Se3；
（2）高压条件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜；
（3）添加Se会破坏PECVD沉积的Sb2Se3的原子比；
（4）当SnSe2质量比为10%时，可以得到Sb：Sn摩尔比接近于1的薄膜，该方法适用于掺杂。
XRD结果
警示 | ▪ 炉管内气压不可高于0.02 MPa； ▪ 由于气瓶内部气压较高，所以向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在本公司选购减压阀，本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa，使用时会更加精确安全； ▪ 石英管的长时间使用温度＜1100℃； ▪ 当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态； ▪ 射频电源工作时，请勿触碰。 |
应用技术提示 | ▪ 通入炉内气体流量需小于200 sccm，以避免冷的大气流对加热石英管造成冲击； ▪ 加热时，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02 MPa，需立刻打开泄气阀，以防意外发生（如炉管破裂、法兰飞出等）； ▪ 射频电源在低气压、低功率条件下起辉。 |
防腐型真空表 （可选） | ▪ 输入电源24V，1A DC（配有电压转换器）； ▪ 测量范围3.8´10-5-1125 Torr； ▪ 数据显示：数显（屏幕尺寸为20´14mm），其单位为torr ▪ 连接：1/8"NPT 接头 ▪ 产品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L´W´ H)
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控温仪表 （可选） | ▪ 单回路、双回路和三回路控制模式； ▪ 每个回路可实现双输入，双保护； ▪ 各回路可PID、串级、比率等回路控制； ▪ 数码显示，配备7个按键，可用于进行各控制回路的切换和参数修改； ▪ 最多可存储50个程序，每个程序最多可有3个不同的设定值（即3条不同的曲线），最多可设置500段升降温程序； ▪ 通讯方式多样，Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通讯接口，可连接PC进行远程控制。
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真空系统 （可选） | ▪ 科晶公司提供一系列低真空、高真空及进口高真空设备，以满足在不同真空条件下的实验需求。
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供气系统 （可选） | ▪ 科晶公司提供各种通道浮子、质子流量计可供选择，以实现气体流量的精确控制。
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