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氧化硅晶体基片
- 型号：
- SiO2
- 产品概述：
- 氧化硅(SiO2)单晶水晶片是一种极好的基片用于无线通讯工业的微波滤波器，科晶公司可以为研究和工业生产提供高质量最低价格的水晶片，真诚欢迎您的垂询！
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数
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晶体结构: | 六方 a=4.914 Å c=5.405 Å | 生长方法: | 水热 | 硬度: | 7.0Mohs | 密度: | 2.684g/cm3 | 熔点: | 1610oC( 相转变点：573.1oC) | 热容: | 0.18cal/gm | 热电常数: | 1200mV /oC @ 300oC | 热导率: | 0.0033 cal/cm/oC | 热膨胀系数 (x10-6/ oC): | a11: 13.71 a33: 7.48 | 折射率: | 1.544 | Q值: | 1.8 x 106 min. | 声速声表: | 3160 (m/sec) | 频率常数: | 1661 (kHz/mm) | 压电偶合: | K2 (%) BAW: 0.65 SAW:0.14 | 包裹物: | IEC Grade II | TTV: | <5um |
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| 产品规格
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方向： | Y, X 或Z 切：在30o ~ 42.75o ± 5分范围内旋转任意值； 主定位边：根据客户要求定方向±30分 ； 次定位边：根据客户要求定方向 ； 籽晶：位于中心，宽度 | 抛光面： | 外延抛光：单抛或双抛Ra<5Å ； 工作区域：基片直径-3mm ； 弯曲度：φ3"<20um，φ4"<30um ； 工作区域无崩边，在边缘，崩边宽度<0.5mm ； 坑和划痕：每片<3，每100片<20 . | 标准厚度： | 0.5mm ± 0.05mm | 标准直径： | dia2" (50.8mm ) dia3"(76.2mm) dia4"(100mm) ±0.5mm 主定位边：22±1.5mm (f 3" ) 32±3.0mm ( f 4" ) 次定位边：10mm±1.5mm |
注：可按照客户要求加工尺寸和晶向
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| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋包装或者单片盒以及25片插盒装 |
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