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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数
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单晶： | InP | 掺杂： | None；Sn；S；Fe：Zn | 硬度： | 3.0莫氏硬度 | 密度： | 4.78 g/cm3 | 导电类型： | N；N；N；Si；P | 折射率： | 3.45 | 载流子浓度cm-3 ： | 1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x1018 | 位错密度cm-2 ： | <5x104 | 生长方法： | LEC | 温度： | 1072℃ | 弹性模量： | 7.1E11dyn Cm-2 |
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| 常规尺寸
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常规晶向： 常规尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm； 抛光情况：单抛或双抛; 表面粗糙度Ra：<15A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
| 备注
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1000级超净室100级超净袋 |
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