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4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型
- 关键字：
- 4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type
- 产品概述：
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
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4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型（4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type)
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| 常规尺寸
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dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm
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| 技术参数
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4H-SiC薄膜晶向： |
| 4H-SiC薄膜厚度（film target thickness)： | 4.3um ±10% | 4H-SiC薄膜厚度（film target doping layer) ： | 1.4E17/cc +0% /- 30% | 载流子浓度： | (3~ 10)E16 /cc | 导电类型： | P型 | 抛光情况： | 双面抛光 | 4H-SiC基片晶向: | （10-10）； OF length: 15.9 +/- 1.7 mm | 4H-SiC基片尺寸： | dia 2 inch x330±25un | IF orientation : | 90 degree cw. from OF +/- 5 degree | IF length: | 8.0 +/- 1.7 mm | 4H-SiC基片电阻率: | < 0.03 ohm-cm | 4H-SiC抛光： | Si面CMP单抛 | 边缘排除： | 1mm |
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| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装
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