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氮化铝(AlN)陶瓷基片
- 产品概述：
- 热导率高，电性能好，热胀系数与Si片接近，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、半导体功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体制冷等产品中作高性能基片材料和封装材料。
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
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氮化铝(AlN)陶瓷基片
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| 产品简介
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热导率高，电性能好，热胀系数与Si片接近，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、半导体功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体制冷等产品中作高性能基片材料和封装材料。
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| 技术参数
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型号 | SD5111 | SD5113 | SD5115 | SD5116 | 密度： | >3.2 | >3.25 | >3.25 | >3.26 | 热导率： | 80~100 | 100~130 | 140~170 | >170 | 热膨胀系数： | <4.5 | <4.3 | <4.3 | <4.2 | 耐电强度： | >15 | >15 | >15 | >15 | 介电系数 | 9.0 | 8.7 | 8.7 | 8.7 | tgδ | 3~10 | 3~7 | 3~7 | 3~7 | 体电阻率 | >1013 | >1014 | >1014 | >1014 | 抗折强度 | >20 | >25 | >28 | >30 |
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| 产品规格
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常规尺寸：2"x2"x 0.5mm，单抛或双抛； 10x10x0.5mm，单抛或双抛； 纯度：>99％； 表面粗糙度Ra< 100A； 注：可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。
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| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋包装
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