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Si片外延AIN薄膜
- 关键字：
- Si+AlN dia4
- 产品概述：
- Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长，其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片
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如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
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Si片外延AlN膜 |
| 产品简介
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Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长，其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片 |
| 技术参数
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AlN厚度： | 200nm ±10%, 单面镀膜 | 正面： | <2nm RMS, as-grown | 背面： | silicon as received | AlN晶向： | (00.2) | 宏缺陷密度： | <10/cm^2 | 薄膜衬底： | Si [111] N type, dia 4" x0.5 mm, res: 1~10 ohm-cm, 单抛 |
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| 常规尺寸
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dia 4" x0.5 mm,单抛 |
| 标准包装
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1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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