碳化硅是全球最先进的第三代半导体材料。和第一代的硅、第二代的砷化镓材料相比，它具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料。科晶联盟提供全套碳化硅基片研发的全套设备， 为新一代碳化硅基片的开发助力。
编 号 | 设备名称 & P/N | 照 片 | 用 途 |
1 | 100T压机 |
| 将粉末预压成圆片以便均匀蒸发或融化 |
2 | SiC 晶体生长 |
TSSG Sublimation | 真空感应加热晶体生长炉（ 2000 -2400oC） · 顶部籽晶溶液生长 · 升华外延生长 |
3 | 高温退火炉 |
| 1600 – 1800oC +/- 0.1 C 精度 |
4 | 单晶定向 |
| 晶体定向 |
5 | SiC晶片切割 |
| 金刚石线精确切片 |
6 | SiC基片外延抛光 |
| 光洁度 《 10A |
7 | 等离子& 臭氧清洗 |
| 外延薄膜生长前去除表面污染 |
8 | 晶片包装盒 |
| 安全包装盒运输 |
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皖公网安备 34012302000974号
